据美国科技媒体《The Information》援引知情人士报道，一家获国家支持的上海企业已开始生产自主研发的浸没式深紫外（DUV）光刻机。设备预计今年内交付中芯国际、华虹半导体和长鑫存储等主要芯片制造商。知情人士未公开该企业具体名称。

浸没式DUV长期由荷兰阿斯麦（ASML）主导。报道指出，国产设备在性能与可靠性上仍有差距，需进一步测试验证后方能正式导入量产线，因此短期内阿斯麦仍保持优势。但若后续出口与维修限制进一步收紧，国产设备可为中国晶圆厂提供替代来源。

初期产量有限：今年计划生产约5台，2027年目标约20台。相比之下，ASML去年交付的浸没式DUV系统达131台。

浸没式DUV用于在硅晶圆上印制电路图形。在无法获得极紫外（EUV）光刻机的情况下，它是中国芯片制造商目前可用的最先进光刻设备。2019年起荷兰政府未续发ASML对华EUV出口许可，此后ASML从未向中国客户交付EUV；自2023年起，先进浸没式DUV的获取也受到更严格限制，但部分较旧或中低端机型仍可出口。

《金融时报》去年9月曾报道，中芯国际测试的国产浸没式DUV来自上海企业宇量昇。该公司与深圳国资背景的新凯来存在资本或项目关联，外界常将其称为“新凯来系”光刻机。设备此前处于测试调校阶段，目标在2027年前后具备商业量产条件。最新消息显示，相关研发团队已被整合进上述上海国资背景企业，并已启动小批量生产。多数零部件已实现国产，但部分关键组件仍依赖日本供应商，本地供应延迟也影响了今年进度。

这是中国半导体设备国产化进程中一次实质性推进，但需冷静看待其真实含义与局限。

首先，从技术与产能维度看：5台与20台的数字，放在阿斯麦每年百余台的出货量面前，仍属极小批量。设备能否顺利通过产线验证（精度、套刻、长期稳定性、与现有工艺兼容性），至少还需要数月甚至更长时间。多数部件国产化是进步，但关键零件仍依赖日本，说明供应链完全自主仍未达成。性能对标大致相当于阿斯麦较早世代机型，单次曝光主要支撑28nm级，多重曝光可尝试更先进节点，但良率与成本会明显承压。因此，短期内它更像“保险与试水”，而非直接替代阿斯麦的主力机台。

其次，从产业与政策背景看：在EUV被彻底卡死、先进DUV也受限制的环境下，能把浸没式DUV推到小批量交付阶段，本身就具有战略意义。它至少为中芯、华虹、长鑫等企业提供了在成熟制程与部分中端节点上“有备无患”的选项，尤其是在美国国会相关法案进一步收紧对华销售与维修服务的背景下。长鑫存储作为DRAM厂商，对浸没式DUV的需求相对直接，可能是最早受益的客户之一。

最后，更长期的观察点在于能否形成正反馈：设备上线后的实际稼动率、客户反馈驱动的迭代速度、关键光学与精密部件的进一步国产化，以及整机软件与工艺库的完善。光刻机是系统工程，不是单点突破就能闭环。若能在未来两三年内把可靠性拉到可接受水平，并逐步扩大产能，那么它对阿斯麦在中国市场的长期影响力会逐步显现；反之，若验证不顺或供应链瓶颈持续，则可能再次陷入“样机多、量产难”的循环。

整体而言，这是在高压环境下的阶段性成果，值得肯定，但距离真正打破依赖、支撑先进制程自主，仍有相当长的路要走。接下来真正需要盯的，是交付后的验证数据，而非当前的产量目标数字。