光刻机是半导体制造中的核心设备之一，EUV 光刻机全球也只有阿斯麦（ASML）公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的 EUV 光刻机，使用的是 X 射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。 

光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数 K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的 EUV 光刻机使用的是极紫外光 EUV，波长 13.5nm，可以用于制造 7nm 及以下的先进工艺工艺。

俄罗斯莫斯科电子技术学院（MIET）现在就接下了贸工部的6.7亿卢布资金（约合5 100万元人民币），也要开发制造芯片的光刻机，而且号称要达到 EUV 级别，但技术原理完全不同，他们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。

X 射线光刻机使用的是X射线，波长介于 0.01nm 到 10nm 之间，比 EUV 极紫外光还要短，因此光刻分辨率要高很多。

此外，X 射线光刻机相比现在的 EUV 光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻，这也节省了一大笔费用。

正因为有这么两个特点，俄罗斯要研发的 X 射线光刻机优势很大，甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机，ASML 也做不到。

从相关资料来看，全球确实没有能达到规模量产的 X 射线光刻机，不过这种技术并不是现在才有，不仅美国、欧洲研究过，国内也有科研机构做了 X 射线光刻机，只是生产芯片的效率跟 ASML 的光刻机不能比的，只适合特定场景。

不过俄罗斯在 X 射线及等离子之类的技术上有深厚的基础，倒是可以期待下他们在新型光刻机上能走多远。