​三星将采用台积电工艺生产英伟达定制HBM基底芯片

• 三星与台积电将共同生产英伟达的NVHBM  

• 基底芯片将采用台积电3纳米工艺  

• 双方首次在芯片制造阶段展开合作

三星电子将使用全球最大晶圆代工厂台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件——基底芯片（base die）。此前，三星一直为其供应的所有HBM同时生产作为存储芯片的核心芯片（core die）以及作为系统半导体的基底芯片。如今，三星决定接受英伟达的技术要求，改变其HBM制造的交钥匙（turnkey）模式。

行业消息人士18日表示，英伟达已要求被选定生产定制HBM（即今年8月发布的NVHBM）的三家供应商——三星电子、SK海力士和美光，均采用台积电的3纳米工艺制造基底芯片。英伟达同时要求核心芯片统一采用第六代DRAM工艺（即1c）。NVHBM基于第七代、下一代HBM——HBM4E的架构。

英伟达提出这一要求，是因为不同HBM供应商的制造方式差异，导致同一设计难以实现一致的性能表现。标准化也减轻了针对每家供应商分别进行产品验证的负担。负责三星代工业务的设备解决方案（DS）部门在内部评估后，决定接受英伟达的要求。

四年前，三星曾与台积电合作，确保HBM与图形处理器连接时与台积电封装工艺的兼容性，但这次是双方首次从HBM制造阶段开始合作。

三星仍将继续对标准HBM产品维持交钥匙策略。公司已于今年早些时候全球率先开始量产第六代HBM4，目前正在进行第七代HBM4E的量产验证，两者的基底芯片均采用三星自有的4纳米代工工艺，核心芯片则在三星华城和平泽园区的1c产线上生产。

对于向包括AMD在内的其他客户供应的定制HBM，三星也计划坚持交钥匙方式。同时，三星仍保留使用自身代工产线开发和生产NVHBM的可能性。一位行业官员表示：“三星正在验证是否也能在自家代工厂生产NVHBM基底芯片。这是在NVHBM需求超出台积电产能时的对冲措施。”

原文标题：Samsung to Tap TSMC for Nvidia's Custom HBM Base Die）

来自首尔经济日报 | 发布于2026.10.18 16:47:48 记者：李锡珍（Lee Suk-jin）