
2026年10月中旬,存储芯片板块出现一轮显著抛售。美光科技(Micron Technology,美股代码MU)财报表现超出市场预期,但股价依旧连续多日下跌,累计跌幅超过13%。本轮调整主要触发因素为国内存储厂商长鑫存储(CXMT)公布新型DRAM存储单元架构(4F²)取得研发进展,并计划在年底前推出搭载该技术的产品。市场担忧国内厂商在通用DRAM领域竞争力提升,将压缩国际大厂的定价权与利润空间;叠加AI相关标的前期交易拥挤,资金获利了结,存储板块普遍承压。SK海力士ADR、三星电子以及NAND闪存相关标的同步走弱。
在此背景下,特斯拉与SpaceX首席执行官埃隆·马斯克连续在X平台发文,先是警示中国制造业的规模化产能潜力,随后公开肯定美光的定价策略,成为市场焦点。
中国竞争预期与马斯克对规模化制造的判断
长鑫存储的技术消息持续发酵后,投资者担忧其在服务器DDR5等通用规格上的推进,会加速渗透由三星、SK海力士、美光主导的DRAM市场。尽管多数行业分析指出,本次披露的进展主要面向传统DRAM,与AI数据中心所需要的高带宽内存(HBM)、先进3D堆叠技术仍存在明显差距,但短期市场情绪显著转弱。
马斯克在回应存储股下跌相关讨论时表示,一旦中国掌握某类产品的制造工艺,其扩产与规模化能力往往超过全球其他地区总和,锂电池、光伏面板就是典型先例。他同时提到,内存(RAM)几年前还是低毛利大宗商品,AI算力建设带来的供给紧张推高了行业价格与利润;中国在LPDDR5、LPDDR6等规格上正在快速追赶,但HBM这类堆叠新架构“攻克难度更高”。这番言论进一步强化了市场对中长期存储行业竞争格局的担忧。
马斯克公开肯定美光定价策略
10月13日,马斯克转发回复一条摩根大通看多存储行业的帖子,内容提及美光已签署多份长期供货协议,协议覆盖的营收占比较高,锁定产能与客户预付款可保障业务至2030年。他的原文表述:
中文大意:美光对未来存储芯片定价保持理性,其他厂商则漫天要价,终端客户不会忘记这一点;美光此举,是维护长期客户忠诚度的明智选择。马斯克并未点名批评其他供应商。
这条帖子发出后,MU在盘后/隔夜交易小幅反弹约0.7%,部分对冲当日盘中跌幅。市场解读:作为大型终端采购方(特斯拉、SpaceX以及AI相关项目均消耗大量内存),马斯克的公开发声,对美光维系客户关系、争夺长期份额具备正面信号意义。此前他也曾提到,美光以“合理条款”向其提供关键存储配额。
市场与基本面对照
虽然短期股价承压,美光最新财报依旧展现强劲基本面:AI需求支撑DRAM与HBM价格维持高位,毛利率、盈利增速处于历史高位区间。华尔街多数分析维持积极评级,认为供给紧张格局有望延续至2027–2028年,长期供货协议有助于锁定收入与现金流。
但长鑫存储的技术进展,提醒投资者通用DRAM的商业化替代风险持续存在;HBM等高端产品拥有更高技术与产能壁垒,仍需要持续跟踪良率、扩产节奏以及客户认证落地情况。马斯克的表态凸显了供给短缺周期下,合理定价对于维系客户信任、保住长期市场份额的重要性——尤其当AI、电动车大厂成为存储核心买家时。
小结
本轮存储芯片回调,主要由国产DRAM竞争预期叠加前期交易拥挤共同驱动。马斯克两条连续发帖,先是警示中国制造业规模化潜力,其后单独认可美光的定价策略,成为本轮事件最大亮点。这既反映大型终端客户对供给与价格高度敏感,也在一定程度上为美光塑造了差异化市场叙事。后续重点观察方向:长鑫存储新产品落地进度、全球存储厂商供给扩张节奏,以及美光HBM出货、长期供货协议的实际执行情况。





