7 月 26 日消息，随着集成电路工艺向 7nm 及以下节点不断推进，13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度低等特点，对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面提出了更高挑战。清华大学宣布，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展 —— 开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。该研究提供了一种融合高吸收元素 Te、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径，有望推动下一代 EUV 光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。